സ്മാർട്ട്ഫോൺ കൂടുതൽ നേരം ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ അത് ചൂടാകുന്നതോ, ബാറ്ററി വേഗത്തിൽ തീരുന്നതോ നിങ്ങൾ ശ്രദ്ധിച്ചിട്ടുണ്ടാകും. ഇതിന് പ്രധാന കാരണം ഉപകരണത്തിനുള്ളിലെ മെമ്മറിയും ഇലക്ട്രോണിക് സർക്യൂട്ടുകളും കൂടുതലായി വൈദ്യുതി ഉപയോഗിക്കുന്നതുമാണ്. എന്നാൽ ഇനി അതിന് പരിഹാരമാകാവുന്ന ഒരു വലിയ ശാസ്ത്രീയ മുന്നേറ്റമാണ് പുറത്തുവന്നിരിക്കുന്നത്.
ജപ്പാനിലെ Institute of Science Tokyoയിലെ ഗവേഷകർ അത്യന്തം ചെറുതും കൂടുതൽ കാര്യക്ഷമവുമായ ഒരു പുതിയ മെമ്മറി ഉപകരണം വികസിപ്പിച്ചു. ഏറ്റവും ശ്രദ്ധേയമായ കാര്യം, ഉപകരണം ചെറുതാകുമ്പോൾ അതിന്റെ പ്രകടനം മെച്ചപ്പെടുന്നു എന്നതാണ്. ഇലക്ട്രോണിക് രംഗത്ത് വർഷങ്ങളായി നിലനിന്നിരുന്ന ഒരു അടിസ്ഥാന ധാരണയെ തന്നെ ഇത് ചോദ്യം ചെയ്യുകയാണ്.
ഈ സാങ്കേതികവിദ്യയുടെ അടിസ്ഥാനം “ഫെറോഇലക്ട്രിക് ടണൽ ജംഗ്ഷൻ” (FTJ) എന്ന മെമ്മറി സംവിധാനമാണ്. വൈദ്യുതി പ്രവാഹം നിയന്ത്രിച്ച് 0, 1 എന്നീ ഡാറ്റ സംഭരിക്കുന്ന രീതിയിലാണ് ഇത് പ്രവർത്തിക്കുന്നത്. സാധാരണയായി ഇത്തരത്തിലുള്ള മെമ്മറികൾ ചെറുതാകുമ്പോൾ പ്രകടനം കുറയാറുണ്ട്. എന്നാൽ ഗവേഷകർ ഉപയോഗിച്ച ഹാഫ്നിയം ഓക്സൈഡ് എന്ന പ്രത്യേക വസ്തു അത്യന്തം ചെറുതായാലും തന്റെ വൈദ്യുത ഗുണങ്ങൾ നിലനിർത്തി.
ഗവേഷകസംഘത്തെ നയിച്ച Yutaka Majimaയും സംഘവും വെറും 25 നാനോമീറ്റർ വീതിയുള്ള മെമ്മറി ഉപകരണം നിർമ്മിക്കാനാണ് ശ്രമിച്ചത്. ഇത് മനുഷ്യന്റെ മുടിയുടെ കട്ടിയേക്കാൾ ഏകദേശം 3000 മടങ്ങ് ചെറുതാണ്.
ഇത്രയും ചെറിയ വലുപ്പത്തിലേക്ക് എത്തുമ്പോൾ സാധാരണയായി വൈദ്യുതി ചോർച്ച വലിയ പ്രശ്നമാകാറുണ്ട്. എന്നാൽ ഗവേഷകർ അതിനെ ഒഴിവാക്കാൻ ശ്രമിക്കാതെ, ഉപകരണം കൂടുതൽ ചെറുതാക്കി പ്രശ്നം കുറയ്ക്കുന്ന പുതിയ രീതിയാണ് സ്വീകരിച്ചത്. ഇലക്ട്രോഡുകൾ ചൂടാക്കി സ്വാഭാവികമായി അർദ്ധവൃത്താകൃതിയിലാക്കുകയും അതിലൂടെ വൈദ്യുതി ചോർച്ച കുറയ്ക്കുന്ന ഘടന സൃഷ്ടിക്കുകയും ചെയ്തു.
ഈ പരീക്ഷണഫലം ഭാവിയിലെ സാങ്കേതിക ലോകത്തെ തന്നെ മാറ്റിമറിക്കാനിടയുള്ളതാണ്. സ്മാർട്ട് വാച്ചുകൾ മാസങ്ങളോളം ഒരു ചാർജിൽ പ്രവർത്തിക്കാനും, AI ഉപകരണങ്ങൾ കുറഞ്ഞ വൈദ്യുതി ഉപയോഗിച്ച് കൂടുതൽ വേഗത്തിൽ പ്രവർത്തിക്കാനും ഇത് സഹായിക്കാമെന്ന് ഗവേഷകർ പറയുന്നു. കൂടാതെ ഹാഫ്നിയം ഓക്സൈഡ് ഇതിനകം തന്നെ സെമികണ്ടക്ടർ നിർമ്മാണ രംഗത്ത് ഉപയോഗിക്കുന്നതിനാൽ, ഈ സാങ്കേതികവിദ്യ സാധാരണ ഉപകരണങ്ങളിലേക്കെത്താൻ അധിക സമയം വേണ്ടിവരില്ലെന്നാണ് പ്രതീക്ഷ.
About The Author
